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Growth temperature dependent critical thickness for phase separation in thick (1 um) InxGa1-xN (x=0.2?0.4)

Growth temperature dependent critical thickness for phase separation in thick (1 um) InxGa1-xN (x=0.2?0.4)
デジタル文書・図像類
Yamamoto, A., Hasan, Md Tanvir, Kodama, K., Shigekawa, N., Kuzuhara, M.ELSEVIER SCIENCE BV2015-06Journal of Crystal Growth419p.64-68
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Current Collapse Suppression by Gate Field-Plate in AlGaN/GaN HEMTs Md.

Current Collapse Suppression by Gate Field-Plate in AlGaN/GaN HEMTs Md.
デジタル文書・図像類
Hasan, Md. Tanvir, Asano, Takashi, Tokuda, Hirokuni, Kuzuhara, MasaakiInstitute of Electrical and Electronics Engineers2013-11IEEE Electrpm Device Letters34 11p.1379-1381
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  • 著者標目Hasan, Md. Tanvir Asano, Takashi Tokuda, Hiroku...

Surface barrier height lowering at above 540K in AlInN/AlN/GaN heterostructures

Surface barrier height lowering at above 540K in AlInN/AlN/GaN heterostructures
デジタル文書・図像類
HASAN, Md. Tanvir, TOKUDA, Hirokuni, KUZUHARA, Masaaki2011-09Applied physics letters99p.132102-
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  • 著者標目HASAN, Md. Tanvir TOKUDA, Hirokuni KUZUHARA, Ma...

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
紙雑誌
電子情報通信学会1987-2020<Z16-940>
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