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AlGaN/GaNヘテロ構造の
ゲートリーク電流
抑制とMBE成長膜の極性制御
AlGaN/GaNヘテロ構造のゲートリーク電流抑制とMBE成長膜の極性制御
紙
図書
澤田孝幸, 北海道工業大学 [著]
[澤田孝幸]
2005-2006
<Y151-H17560013>
国立国会図書館
件名
AlGaN/GaNヘテロ構造 / ショットキーダイオード /
ゲートリーク電流
/ HEMTデバイス / MBE成長 / I-V特性 / ...
原子層MOCVDと分光エリプソメトリによる高誘電率酸化膜超薄膜の原子レベル制御
原子層MOCVDと分光エリプソメトリによる高誘電率酸化膜超薄膜の原子レベル制御
紙
図書
小田俊理, 東京工業大学 [著]
[小田俊理]
2002-2003
<Y151-H14350160>
国立国会図書館
件名
原子層MOCVD / 分光エリプソメトリ / 高誘電率ゲート酸化膜 / 薄膜堆積その場観察 / MOSFET / チャネル移動度 /
ゲートリーク電流
/ パルス原料供給
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