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シングルイオン注入法による半導体電気的特性ゆらぎ抑制に関する研究
シングルイオン注入法による半導体電気的特性ゆらぎ抑制に関する研究
紙
図書
大泊, 巌, 早稲田大学
2000-2002
<Y151-H12555092>
国立国会図書館
件名
シングルイオン注入法 集束イオンビ-ム 液体金属イオン源 不純物ゆらぎ 同時ド-ピング ELTRAN
ド-パント原子
配列 極微半導体
ドーパント格子の実現とその磁性制御の研究
ドーパント格子の実現とその磁性制御の研究
デジタル
文書・図像類
堀, 匡寛
静岡大学
2016-06-16
全国の図書館
件名
量子準位 チャージポンピング法 電子スピン共鳴法 EDMR シリコン MOSFET 界面欠陥
ドーパント原子
Siナノpn接合を用いた
ドーパント原子
型トンネルダイオード
Siナノpn接合を用いたドーパント原子型トンネルダイオード
デジタル
文書・図像類
田部, 道晴
静岡大学
2015-06-19
全国の図書館
件名
電子デバイス・機器 シリコンナノpn接合
ドーパント原子
トンネルダイオード 高濃度ドーピング
シリコンナノ構造を基盤とした
ドーパント原子
デバイスの開発
シリコンナノ構造を基盤としたドーパント原子デバイスの開発
デジタル
文書・図像類
田部, 道晴
静岡大学
2016-05-25
全国の図書館
件名
電子デバイス・機器 シングルドーパント シリコン 量子ドット
ドーパント原子
ナノデバイス トランジスタ
ソース端ドナー原子のエネルギーフィルタ効果を用いたSiナノトランジスタ
ソース端ドナー原子のエネルギーフィルタ効果を用いたSiナノトランジスタ
デジタル
文書・図像類
Moraru, Daniel
2016-06-16
全国の図書館
件名
電子デバイス・機器 シングルドーパント シリコン 量子ドット
ドーパント原子
ナノデバイス トランジスタ
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