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分子線エピタキシー法を用いたフォトニック結晶レーザ作製法の開発と空孔立体形状の検討

分子線エピタキシー法を用いたフォトニック結晶レーザ作製法の開発と空孔立体形状の検討
デジタル博士論文障害者向け資料あり
西本, 昌哉2016-03-23
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  • 件名半導体レーザ フォトニック結晶 分子線エピタキシー法

AIGaAsバツフアー層を用いた立方晶GaNのMBE成長

AIGaAsバツフアー層を用いた立方晶GaNのMBE成長
紙図書
木村, 龍平, 帝京科学大学1999-2000<Y151-H11650335>
国立国会図書館
  • 件名窒化ガリウム アルミニウムガリウム砒素 分子線エピタキシー法 立方晶 バツフアー層 窒化

SiGe混晶基板を利用した歪み制御Si系高機能電子デバイスに関する研究

SiGe混晶基板を利用した歪み制御Si系高機能電子デバイスに関する研究
紙図書
宇佐美, 徳隆, 東北大学2001-2002<Y151-H13555086>
国立国会図書館
  • 件名シリコンゲルマニウム 分子線エピタキシ-法 溶質元素補給ゾ-ン成長法 歪み制御薄膜 変調ド-ピング構造...

MBE法で製作した磁性金属人工格子の円偏光放射光内殻磁気円二色性による研究

MBE法で製作した磁性金属人工格子の円偏光放射光内殻磁気円二色性による研究
紙図書
小出, 常晴, 高エネルギー物理学研究所1995-1996<Y151-H07454088>
国立国会図書館
  • 件名磁性金属人工格子 分子線エピタキシー法 円偏光放射光 内殻吸収 磁気円二色性

InGaN混晶半導体の成長と励起子光物性

InGaN混晶半導体の成長と励起子光物性
紙図書
田口, 常正, 山口大学1996-1997<Y151-H08455148>
国立国会図書館
  • 件名窒化物半導体 混晶半導体 分子線エピタキシー法 励起子 局在化 等電子不純物 自己束縛 誘電放出

GaN基板上へのIII族窒化物の低次元構造の作製と物性に関する研究

GaN基板上へのIII族窒化物の低次元構造の作製と物性に関する研究
紙図書
天野, 浩, 名城大学1995-1996<Y151-H07650025>
国立国会図書館
  • 件名III族窒化物 低次元量子構造 ホモエピタキシヤル成長 有機金属化合物気相成長法 分子線エピタキシー法 ハイドライド気相成長法 バルクGaN

光誘起ナノ構造による光子の制御とそれに基づく新規な有機光電子デバイスの開発

光誘起ナノ構造による光子の制御とそれに基づく新規な有機光電子デバイスの開発
デジタル規格・テクニカルリポート類
堤,直人, 堀田,収, 吉本,昌広, Tsutsumi, Hotta, Yoshimoto2008-03
全国の図書館
  • 件名...ical amplifier 分子線エピタキシー法 (MBE)，Molecular Beam Epitaxy ...

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