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次世代不揮発性メモリー実用化のための界面還元修飾法の応用
次世代不揮発性メモリー実用化のための界面還元修飾法の応用
紙
図書
伊藤, 太一郎, 大阪府立大学
1998-2000
<Y151-H10555220>
国立国会図書館
件名
YMnO3 Y2O3 界面還元修飾 MFIS-FET 強誘電体トランジスタ
強誘電体不揮発性メモリー
強誘電体の薄膜化により顕著に生じる特性とその強誘電体薄膜メモリに及ぼす影響の研究
強誘電体の薄膜化により顕著に生じる特性とその強誘電体薄膜メモリに及ぼす影響の研究
紙
図書
塩嵜忠, 奈良先端科学技術大学院大学
1998-1999
<Y151-H10450120>
国立国会図書館
件名
強誘電体不揮発性メモリー
Pb (Zr, Ti) O3 分極反転疲労 インプリント ...
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