中嶋, 一雄, 東北大学1999-2000<Y151-H11305001>
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- 件名溶質元素補給ゾーン成長法 多元系バルク結晶 均一組成 SiGe In-Ga-As 成長界面 単結晶 基板
干川, 圭吾, 信州大学1999-2000<Y151-H11450009>
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- 件名CZ-Si結晶 高温熱化学反応 熱・物質移動現象 石英るつぼ Si融液 SiOガス 成長界面 無転位結晶
橋尾, 克司, 龍見, 雅美, 加藤, 浩和, 木下, 恭一, Hashio, Katsushi, Tatsumi, Masami, Kato, Hirokazu, Kinoshita, Kyoichi宇宙開発事業団1999-09-30宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandump.51-56
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- 件名... 成長速度 結晶成長 核形成 成長界面 gradient concentration compos...
- 一般注記...ことなく実現することができた。成長界面において40K/cmの高い温度......に変動することから、過冷却度は成長界面の前面で最大であり、その場所で核形成と成長が急激に起こってい...
龍見, 雅美, 加藤, 浩和, 木下, 恭一, Tatsumi, Masami, Kato, Hirokazu, Kinoshita, Kyoichi宇宙開発事業団2000-09-29NASDA Technical Memorandump.55-59
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- 件名InGaAs 出発材料 方向性固化法 過冷却 核生成 成長界面 蛍光X線法 微視的にスムーズな濃度 In組成 成長実験 微...
- 一般注記...度の微視的評価は、自由核生成が成長界面の前で起こり、新たな成長界面が形成されることを示唆していた。 InGaAs starti...
児玉, 茂夫, 古村, 雄二, 木下, 恭一, 加藤, 浩和, 依田, 真一, Kodama, Shigeo, Furumura, Yuji, Kinoshita, Kyoichi, Kato, Hirokazu, Yoda, Shinichi宇宙開発事業団1999-09-30宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandump.57-60
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- 件名... 垂直勾配冷凍 InAs組成 成長界面 成長温度 移動速度 均質組成 In(0.3)Ga(0.7)...
- 一般注記...する結晶のInAs組成は、初期成長界面において0.04から徐々に0.33まで成長温度の低下とともに...