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発振波長が温度に依存しないレーザ用GaNAsBi新半導体混晶の研究

発振波長が温度に依存しないレーザ用GaNAsBi新半導体混晶の研究
紙図書
尾江邦重, 京都工芸繊維大学 [著][尾江邦重]2005-2007<Y151-H17360140>
国立国会図書館
  • 件名半導体レーザ / 温度無依存波長 / GaNABi結晶 / 分子線エピタキシャル法 / ...

発振波長の温度依存性がない半導体レーザのための新半導体材料の研究

発振波長の温度依存性がない半導体レーザのための新半導体材料の研究
紙図書
尾江, 邦重, 京都工芸繊維大学1999-2001<Y151-H11555087>
国立国会図書館
  • 件名温度無依存 発振波長 Bi系半導体 半導体レーザ 熱準安定 MOVPE...

高Bi組成GaAsBiの成長とレーザダイオードへの応用

高Bi組成GaAsBiの成長とレーザダイオードへの応用
デジタル博士論文障害者向け資料あり
冬木, 琢真2014-03-25
国立国会図書館
  • 件名MBE 分子線エピタキシー III-V族半導体半金属混晶 GaAsBi LD レーザ 発振波長 光通信 界面準位 温度無依存 特性温度 WDM

3-5族タリウム系半導体による温度無依存発振波長半導体レーザに関する研究

3-5族タリウム系半導体による温度無依存発振波長半導体レーザに関する研究
紙図書
朝日, 一, 大阪大学1999-2001<Y151-H11555004>
国立国会図書館
  • 件名III-V族混晶半導体 タリウム系半導体 バンドギヤツプ 温度無依存 ガスソースMBE フオトルミネツセンス 半導体レーザ 波長...

III-V族タリウム系半金属・半導体混晶の結晶成長と新物性探索

III-V族タリウム系半金属・半導体混晶の結晶成長と新物性探索
紙図書
朝日, 一, 大阪大学1997-1998<Y151-H09650015>
国立国会図書館
  • 件名III-V族化合物半導体 タリウム系混晶半導体 赤外域光デバイス 中赤外域光デバイス 温度無依存バンドギヤツプ ガスソースMBE X線回折測定 光伝導測定

高Bi組成GaAsBiの成長とレーザダイオードへの応用

高Bi組成GaAsBiの成長とレーザダイオードへの応用
デジタル博士論文
冬木, 琢真2014-03-25
インターネットで読める全国の図書館
  • 件名MBE 分子線エピタキシー III-V族半導体半金属混晶 GaAsBi LD レーザ 発振波長 光通信 界面準位 温度無依存 特性温度 WDM

レーザー誘起ナノ細線配線と革新的なナノ光電子デバイスの開発

レーザー誘起ナノ細線配線と革新的なナノ光電子デバイスの開発
デジタル文書・図像類
堤, 直人, 堀田, 収, 吉本, 昌広2009-03
全国の図書館
  • 件名...法 半導体半金属混晶,発光波長温度無依存,分子線エピタキシー,ビスマス,Ⅲ-Ⅴ族半導体 ホトルミネセ...

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