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検索結果 5 件

ワイドギヤツプ化合物半導体へのレーザードーピングプロセスの研究

ワイドギヤツプ化合物半導体へのレーザードーピングプロセスの研究
紙図書
青木, 徹, 静岡大学2000-2001<Y151-H12450145>
国立国会図書館
  • 件名エキシマレーザー 不純物ドーピング II-VI族化合物半導体 CdTe ZnO 高濃度ドーピング 非熱平衡 ワイドギヤツプ半導体

カーボンドープベース・超高速ヘテロ接合バイポーラトランジスタの開発研究

カーボンドープベース・超高速ヘテロ接合バイポーラトランジスタの開発研究
紙図書
小長井, 誠, 東京工業大学1992-1994<Y151-H04555066>
国立国会図書館
  • 件名カーボン InGaP/GaAsHBT InP/InGaAsHBT InGaP MOMBE カーボンドープベースHBT 超高濃度ドーピング ターシヤリブチルフオスフイン

光CVD法によるSiの低温エピタキシャル成長法の開発

光CVD法によるSiの低温エピタキシャル成長法の開発
紙図書
小長井誠, 東京工業大学1987-1988<Y151-S62850053>
国立国会図書館
  • 件名光CVD法 低温エピタキシヤル成長 歪超格子 Si SiGe 超高濃度ドーピング

メタリツクp形ベース・ヘテロ接合バイポーラトランジスタの研究

メタリツクp形ベース・ヘテロ接合バイポーラトランジスタの研究
紙図書
小長井, 誠, 東京工業大学1989-1990<Y151-H01460136>
国立国会図書館
  • 件名ガリウムひ素 MOMBE法 トリメチルガリウム 高濃度ドーピング ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

Siナノpn接合を用いたドーパント原子型トンネルダイオード

Siナノpn接合を用いたドーパント原子型トンネルダイオード
デジタル規格・テクニカルリポート類
田部, 道晴静岡大学2015-06-19
全国の図書館
  • 件名電子デバイス・機器 シリコンナノpn接合 ドーパント原子 トンネルダイオード 高濃度ドーピング

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