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AlGaN/GaNヘテロ構造のゲートリーク電流抑制とMBE成長膜の極性制御
AlGaN/GaNヘテロ構造のゲートリーク電流抑制とMBE成長膜の極性制御
紙
図書
澤田孝幸, 北海道工業大学 [著]
[澤田孝幸]
2005-2006
<Y151-H17560013>
国立国会図書館
件名
AlGaN/GaNヘテロ構造 / ショットキーダイオード / ゲートリーク電流 / HEMTデバイス / MBE成長 /
I-V特性
/ MIS構造 / 界面準位密度
トンネル接合-ポーラスSi界面におけるホットエレクトロンの挙動
トンネル接合-ポーラスSi界面におけるホットエレクトロンの挙動
紙
図書
八田有尹, 東北大学
2000-2002
<Y151-H12450254>
国立国会図書館
件名
ホツトエレクトロン トンネル接合
I-V特性
ポ-ラスSi MIM ナフトキノン Ag/A10x/Al ...
金属/GaNおよび絶縁膜/GaN界面の制御とMIS形電界効果トランジスタの試作
金属/GaNおよび絶縁膜/GaN界面の制御とMIS形電界効果トランジスタの試作
紙
図書
澤田, 孝幸, 北海道工業大学
1998-1999
<Y151-H10650316>
国立国会図書館
件名
GaN シヨツトキーダイオード MISダイオード 界面準位密度 シヨツトキー障壁高
I-V特性
C-V特性 フエルミ準位
セラミツクス粒界の組成・構造・性質に関する研究
セラミツクス粒界の組成・構造・性質に関する研究
紙
図書
河本, 邦仁, 東京大学
1985-1987
<Y151-S60550543>
国立国会図書館
件名
粒界 セラミツクス 湿度センシング 絶縁破壊 拡散
I-V特性
バリスタ
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