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検索結果 6 件

Nanocontacts : emerging materials and processing for ohmicity and rectification : April 9-13, 2012 : San Francisco, California, USA : Apr 2012, San Francisco, CA. (Materials Research Society Symposia Proceedings ; 1429)

Nanocontacts : emerging materials and processing for ohmicity and rectification : April 9-13, 2012 : San Francisco, California, USA : Apr 2012, San Francisco, CA. (Materials Research Society Symposia Proceedings ; 1429)
紙図書
Cambridge University Pressc2012.<M17-13-3097>
国立国会図書館
  • 件名...s--Congresses. Ohmic contacts--Congresses. Nanocontacts Ohm...

多端子ホール測定および高周波測定によるオーミック金属下半導体の特性評価法とその応用

多端子ホール測定および高周波測定によるオーミック金属下半導体の特性評価法とその応用
デジタル博士論文障害者向け資料あり
瓜生, 和也2023-03
国立国会図書館

高濃度ドープSiCショットキー接合における高電界輸送および非合金化オーミック接合の形成

高濃度ドープSiCショットキー接合における高電界輸送および非合金化オーミック接合の形成
デジタル博士論文
原, 征大京都大学2024-03-25
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  • 件名Silicon Carbide Schottky Contacts Ohmic Contacts Tunneling Current Ion Implant...
  • 並列タイトル等（連結）...of Non-Alloyed Ohmic Contacts
  • 並列タイトル等...of Non-Alloyed Ohmic Contacts

多端子ホール測定および高周波測定によるオーミック金属下半導体の特性評価法とその応用

多端子ホール測定および高周波測定によるオーミック金属下半導体の特性評価法とその応用
デジタル博士論文
瓜生, 和也2023-03
インターネットで読める全国の図書館

Role of Al and Ti for ohmic contact formation in AlGaN/GaN heterostructures

Role of Al and Ti for ohmic contact formation in AlGaN/GaN heterostructures
デジタルその他
Tokuda, Hirokuni, Kojima, Toshikazu, Kuzuhara, Masaaki2012-12Applied Physics Letters101p.262104-
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A method to increase sheet electron density and mobility by vacuum annealing for Ti/Al deposited AlGaN/GaN heterostructures

A method to increase sheet electron density and mobility by vacuum annealing for Ti/Al deposited AlGaN/GaN heterostructures
デジタルその他
Tokuda, Hirokuni, Kojima, Toshikazu, Kuzuhara, Masaaki2012-08Applied Physics Letters101p.82111-
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