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InN、GaNおよびその混晶によるヘテロ構造の作製とHFETへの応用に関する研究

InN、GaNおよびその混晶によるヘテロ構造の作製とHFETへの応用に関する研究
紙図書
名西[ヤス]之, 立命館大学 [著][名西[ヤス]之]2001-2004<Y151-H13450131>
国立国会図書館
  • 件名InN / RF-MBE / 貫通転位 / バンドギャツプ / 極性 / Si基板 ...

立方晶窒化物半導体ヘテロ構造による光および電子デバイス

立方晶窒化物半導体ヘテロ構造による光および電子デバイス
紙図書
尾鍋研太郎, 東京大学 [著][尾鍋研太郎]2000-2003<Y151-H12555002>
国立国会図書館
  • 件名立方晶GaN / 立方晶AlGaN / GaN/GaAs / 窒化物半導体 / MOVPE / MBE / 選択成長 / RF-MBE

3-5-N型窒化物系混晶半導体の巨大ボウイング効果と物性応用

3-5-N型窒化物系混晶半導体の巨大ボウイング効果と物性応用
紙図書
尾鍋研太郎, 東京大学 [著][尾鍋研太郎]1999-2002<Y151-H11450003>
国立国会図書館
  • 件名III-V-N型窒化物混晶 / GaAsN / InGaAsN / InGaPN / InAsN / 巨大バンドギャッブボウイング / MOVPE / RF-MBE

紫外半導体レーザの基礎研究

紫外半導体レーザの基礎研究
紙図書
米津, 宏雄, 豊橋技術科学大学1996-1997<Y151-H08455037>
国立国会図書館
  • 件名GaN系窒化物半導体 紫外光半導体レーザ 歪短周期超格子 SiC基板 AlGaN量子井戸レーザ構造 視覚情報処理 ヘテロエピタキシー RF-MBE

An Indium Surfactant Effect in Cubic GaN Rf-MBE Growth

An Indium Surfactant Effect in Cubic GaN Rf-MBE Growth
デジタル文書・図像類
NISHIO, Yukihiro, MORI, Hiroki, MASUDA, Atsushi, YAMAMOTO, Akio, HASHIMOTO, AkihiroThe Institute of Pure and Applied Physics2000-11-30Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductorsp.178-181
全国の図書館
  • 件名cubic GaN rf-MBE In beam irradiation In surfac...

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