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中性子核変換ドーピングSi半導体(NTD-Si)製造機能拡充のための外部冷却法対応設備の製作(共同研究) (JAEA-technology ; 2006-59)

中性子核変換ドーピングSi半導体(NTD-Si)製造機能拡充のための外部冷却法対応設備の製作(共同研究) (JAEA-technology ; 2006-59)
紙図書
広瀬彰, 和田茂, 笹島文雄, 楠剛, 亀山巌, 会澤良二, 菊池直之 [著]日本原子力研究開発機構2007.1<Y251-H1451>
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中性子核変換ドーピングSi半導体(NTD-Si)製造機能拡充のための外部冷却法対応設備の製作(共同研究)

中性子核変換ドーピングSi半導体(NTD-Si)製造機能拡充のための外部冷却法対応設備の製作(共同研究)
デジタル文書・図像類
広瀬 彰, 和田 茂, 笹島 文雄, 楠 剛, 亀山 巌, 会澤 良二, 菊池 直之2007-01JAEA-Technology 2006-059
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