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電荷移動モデルによるプラズマCVD窒化(酸化)Si膜の微視的結合構造変化の解析
電荷移動モデルによるプラズマCVD窒化(酸化)Si膜の微視的結合構造変化の解析
紙
図書
長谷川, 誠一, 金沢大学
1993-1994
<Y151-H05650009>
国立国会図書館
電荷移動モデルによるプラズマCVD窒化(酸化)Si膜の微視的結合構造変化の解析
電荷移動モデルによるプラズマCVD窒化(酸化)Si膜の微視的結合構造変化の解析
デジタル
文書・図像類
長谷川, 誠一, Hasegawa, Seiichi
1996-04-14
平成6(1994)年度 科学研究費補助金 一般研究(C) 研究成果報告書概要 = 1994 Fiscal Year Final Research Report Summary
1993 – 1994
p.2p.-
全国の図書館
一般注記
...– 1994 出典:研究課題「
電荷移動モデルによるプラズマCVD窒化(酸化)Si膜の微視的結合構造変化の解析
」課題番号05650009(KAKEN:科学研究費助成事業デ...
電荷移動モデルによるプラズマCVD窒化(酸化)Si膜の微視的結合構造変化の解析
電荷移動モデルによるプラズマCVD窒化(酸化)Si膜の微視的結合構造変化の解析
紙
図書
研究代表者 長谷川誠一
[長谷川誠一]
1995.3
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