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シリコンカーバイドを用いた集積化インテリジエントガスセンサ
シリコンカーバイドを用いた集積化インテリジエントガスセンサ
紙
図書
勝部, 昭明, 埼玉大学
1996-1997
<Y151-H08455160>
国立国会図書館
件名
シリコンカーバイド (SiC)
高温ガスセンサ NOガスセンサ LAPSガスセンサ 半導体...
ワイドギヤツプ半導体SiCのパワーデバイスへの応用
ワイドギヤツプ半導体SiCのパワーデバイスへの応用
紙
図書
松波, 弘之, 京都大学
1994-1995
<Y151-H06555095>
国立国会図書館
件名
シリコンカーバイド (SiC)
パワーデバイス 熱酸化 イオン注入 Schottkyダイオ...
HREELS-STMによる表面局所構造の電子状態の研究
HREELS-STMによる表面局所構造の電子状態の研究
紙
図書
須藤, 彰三, 東北大学
1996-1998
<Y151-H08454072>
国立国会図書館
ワイドギヤツプ半導体SiCの高純度単結晶成長とパワーデバイスへの応用
ワイドギヤツプ半導体SiCの高純度単結晶成長とパワーデバイスへの応用
紙
図書
松波, 弘之, 京都大学
1992-1993
<Y151-H04555068>
国立国会図書館
件名
シリコンカーバイド (SiC)
パワーデバイス 気相エピタキシー 成長機構 イオン注入 熱...
ビニルシランを用いたSiC薄膜形成のin-situリンドーピング原料探索
ビニルシランを用いたSiC薄膜形成のin-situリンドーピング原料探索
デジタル
文書・図像類
竹内, 和歌奈
愛知工業大学
2021-11
総合技術研究所研究報告=Bulletin of Research Institute for Industrial Technology.
23
p.74-75
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4H-SiC無極性面基板上への同一ポリタイプを有する4H-AlN成長とデバイス応用
4H-SiC無極性面基板上への同一ポリタイプを有する4H-AlN成長とデバイス応用
デジタル
博士論文
Horita, Masahiro
京都大学 (Kyoto University)
2009-03-23
インターネットで読める
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