井上和秀, 九州大学 [著][井上和秀]2003-2005<Y151-H15209051>
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- 件名ATP / P2X4 / ミクログリア / BDNF / アニオン濃度勾配 / GABA
櫻井伸一, 京都工芸繊維大学 [著][櫻井伸一]2005-2006<Y151-H17350109>
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- 件名ポリマー溶液 / 散逸構造 / 対流 / 相分離 / 温度勾配 / 濃度勾配 / Soret効果 / 水平方向
坂本和彦, 埼玉大学 [著][坂本和彦]2003-2005<Y151-H15254001>
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- 件名黄土 / 水分 / アンモニア / 硝酸 / 湿度影響 / 沈着速度 / 濃度勾配法 / パッシブ法
廣井美邦, 千葉大学 [著][廣井美邦]2002-2004<Y151-H14340158>
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- 件名超高圧変成岩 / 珪岩 / エクロジャイト / 石英脈 / 藍晶石 / コランダム / 濃度勾配 / 部分融解
浅川晋, 名古屋大学 [著][浅川晋]2006-2007<Y151-H18580059>
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- 件名水田土壌 / メタン生成 / 微生物共生系 / 培養法 / 分子生態 / プロピオン酸 / 種間水素転移 / 変性剤濃度勾配ゲル電気泳動
向井, 楠宏, 九州工業大学1999-2000<Y151-H11450286>
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- 件名微小重力 界面張力勾配 微細粒子 運動 水溶液 有機溶媒 温度勾配 濃度勾配
溝本, 雅彦, 慶應義塾大学2000-2001<Y151-H12650212>
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- 件名Triple Flame 濃度勾配 非定常 相互干渉 燃焼速度 PIV レーザートモグラフイ ...
浅川晋, 名古屋大学 [著][浅川晋]2002-2003<Y151-H14560051>
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- 件名水田土壌 / メタン生成古細菌 / 変性剤濃度勾配ゲル電気泳動 (DGGE) 法 / PCR / 16S rD...
田中, 晃二, 岡崎国立共同研究機構2000-2001<Y151-H12440190>
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- 件名プロトン濃度勾配 分子内電子移動 エネルギー変換 酸化反応 水の4電子酸化 ...
岩堀恵祐, 静岡県立大学 [著][岩堀恵祐]2002-2004<Y151-H14550546>
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- 件名ミコール酸含有菌 / スカム / ハイブリダイゼーション法 / PCR-DGGE法 / オリゴヌクレオチドプローブ / プライマー / 16S rRNA / 変性剤濃度勾配
福田, 靖子, 静岡大学1994-1995<Y151-H06680059>
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- 件名定量 4-ヒドロキシノネナール α, β-不飽和アルデヒド 熱酸化 食用油 直線的濃度勾配HPLC
松本脩三, 北海道大学1988-1991<Y151-S63440038>
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- 件名BSA不連続慎濃度勾配法 ヒト胸腺細胞 T細胞抗原レセプター CD4+8+細胞
東京女子医科大学東京女子医科大学2015-04-09テュートリアル課題2015 S1
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- 件名ミトコンドリア 外膜 内膜 マトリクス 膜間腔 解糖 TCA回路 電子伝達系 水素イオン濃度勾配 F0F1ATPase 脱共役 自由エネルギー変化 熱 共生...
東京女子医科大学東京女子医科大学2007-09-26テュートリアル課題2007 B1
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- 件名細胞膜 膜輸送(能動輸送、受動輸送) イオン濃度勾配 電気化学ポテンシャル
本田, 直樹奈良先端科学技術大学院大学2008
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- 件名理論生物学 走化性 濃度勾配検知 反応ゆらぎ 自発的シグナル生成 確率過程 非線形動力学
松本, 聡, 益子, 岳史, 大平, 博昭, 依田, 眞一, 佐々木, 宏衛, 依田, 英里香, Matsumoto, Satoshi, Mashiko, Takashi, Ohira, Hiroaki, Yoda, Shinichi, Sasaki, Hiroei, Yoda, Erika宇宙航空研究開発機構2007-03-30宇宙航空研究開発機構研究開発資料 = JAXA Research and Development MemorandumJAXA-RM-06-015E
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- 件名... 錫 プラントル数 温度分布 濃度勾配 温度測定 ultrasonic wave transduc...
浅川, 晋2004-03
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- 件名...密度勾配ゲル電気泳動法 変性剤濃度勾配ゲル電気泳動(DGGE)法 微生物群集解析 水田土壌
前川, 透, 平岡, 良章, 松本, 聡, Maekawa, Toru, Hiraoka, Yoshiaki, Matsumoto, Satoshi宇宙開発事業団1999-09-30宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandump.19-26
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- 件名...結晶成長 冷却速度 温度勾配 濃度勾配 成長速度 組成的過冷却 残留重力 成長方向 semicon...
- 一般注記...響を検討した。溶液中に不均一な濃度勾配を有する一方向成長法でも、成長速度が3ないし5mm/hの場合...
宇宙開発事業団, National Space Development Agency宇宙開発事業団1999-09-30宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandum
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- 件名...GaAs 冷却速度 温度勾配 濃度勾配 成長速度 組成的過冷却 g-ジッタ 重力変動 表面張力 坩...
- 一般注記...GaAs、冷却速度、温度勾配、濃度勾配、成長速度、組成的過冷却、残留重力、g-ジッタ、速度変動、温...
中村, 裕彦, 加藤, 浩和, 木下, 恭一, 依田, 真一, Nakamura, Hirohiko, Kato, Hirokazu, Kinoshita, Kyoichi, Yoda, Shinichi宇宙開発事業団2000-09-29NASDA Technical Memorandump.15-28
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- 件名濃度勾配部分溶融法 CGPM法 In(x)Ga(1-x)As 固液反...
- 一般注記濃度勾配部分溶解(CGPM)法で起こると期待される固液反応を熱力学に...
- 並列タイトル等(連結)濃度勾配部分溶融法とそのIn(x)Ga(1-x)Asへの応用について...