電子通信学会論文誌. C = The Transactions of the Institute of Electronics and Communication Engineers of JapanC 69(10)(226)

• 資料種別: 雑誌
• タイトル: 電子通信学会論文誌
• タイトルよみ: デンシ ツウシン ガッカイ ロンブンシ
• 巻次・部編番号: C; 69(10)(226)
• 著者・編者: 電子通信学会 編
• 著者標目: 電子通信学会 デンシ ツウシン ガッカイ ( 00277956 )典拠
• 出版事項: 東京 : 電子通信学会
• 出版年月日等: 1986-10
• 出版年（W3CDTF）: 1986-10
• 刊行巻次・年月次: v. 51, 1号 (昭和43年1月)-v. 69, 12号 = 228号 (昭和61年12月)
• 大きさ: 26cm
• 並列タイトル等: The Transactions of the Institute of Electronics and Communication Engineers of Japan The Transactions of the Institute of Electronics and Communication Engineers of Japan; The Transactions of the Institute of Electronics and Communication Engineers of Japan
• ISSN（掲載誌）: 0373-6113
• ISSN-L（掲載誌）: 0373-6113
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• NDLC: ZN33
• 一般注記: 本タイトル等は最新号による
• 総目次・総索引注記: 総目次・総索引あり
• DOI: 10.11501/2286274; https://doi.org/10.11501/2286274
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/2286274; https://dl.ndl.go.jp/pid/2286274
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00002
• 製作者: 国立国会図書館
• 製作年（W3CDTF）: 2011-03-31
• 受理日（W3CDTF）: 2011-06-30T17:05:05+09:00
• 記録形式（IMT）: image/jp2
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象外
• 遠隔複写可否（NDL）: 可
• 所蔵巻次・年月次（所蔵事項）: v. 51, 1号 (昭和43年1月)-v. 69, 12号 = 228号 (昭和61年12月)
• 請求記号: Z16-607
• 原資料（JPNO）: 00015925
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/2384449; https://dl.ndl.go.jp/pid/2384449
• 改題前（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/2384233; https://dl.ndl.go.jp/pid/2384233
• 改題後（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/2385328; https://dl.ndl.go.jp/pid/2385328
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

目次

ドレイン上に厚い酸化膜を有する電力用縦型MOSFETの最適設計

磁界圧着形マグネトロンスパッタ法によるa-Si薄膜の作成と特性

Siゲ-ト型MNOSメモリのキャリア伝導特性

2モ-ド不均一結合系の一解法とその応用

放物筒導波管による円形(TE0n)から方形導波管へのモ-ド変換