電子通信学会論文誌. C = The Transactions of the Institute of Electronics and Communication Engineers of JapanC 69(10)(226)

• Material Type: 雑誌
• Title: 電子通信学会論文誌
• Title Transcription: デンシ ツウシン ガッカイ ロンブンシ
• Volume: C; 69(10)(226)
• Author/Editor: 電子通信学会 編
• Author Heading: 電子通信学会 デンシ ツウシン ガッカイ ( 00277956 )Authorities
• Publication, Distribution, etc.: 東京 : 電子通信学会
• Publication Date: 1986-10
• Publication Date (W3CDTF): 1986-10
• Year and volume of publication: v. 51, 1号 (昭和43年1月)-v. 69, 12号 = 228号 (昭和61年12月)
• Size: 26cm
• Alternative Title: The Transactions of the Institute of Electronics and Communication Engineers of Japan The Transactions of the Institute of Electronics and Communication Engineers of Japan; The Transactions of the Institute of Electronics and Communication Engineers of Japan
• ISSN (Periodical Title): 0373-6113
• ISSN-L (Periodical Title): 0373-6113
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• NDLC: ZN33
• Note (General): 本タイトル等は最新号による
• Note (Cumulative Index): 総目次・総索引あり
• DOI: 10.11501/2286274; https://doi.org/10.11501/2286274
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/2286274; https://dl.ndl.go.jp/pid/2286274
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00002
• Producer: 国立国会図書館
• Production year (W3CDTF): 2011-03-31
• Date Accepted (W3CDTF): 2011-06-30T17:05:05+09:00
• Format (IMT): image/jp2
• Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
• Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
• Availability of remote photoduplication service: 可
• Year and volume of holding: v. 51, 1号 (昭和43年1月)-v. 69, 12号 = 228号 (昭和61年12月)
• Call No.: Z16-607
• Original Material (JPNO): 00015925
• Periodical Title (Persistent ID (NDL)): info:ndljp/pid/2384449; https://dl.ndl.go.jp/pid/2384449
• Replaces (Persistent ID (NDL)): info:ndljp/pid/2384233; https://dl.ndl.go.jp/pid/2384233
• Continues (Persistent ID (NDL)): info:ndljp/pid/2385328; https://dl.ndl.go.jp/pid/2385328
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

Table of Contents

ドレイン上に厚い酸化膜を有する電力用縦型MOSFETの最適設計

磁界圧着形マグネトロンスパッタ法によるa-Si薄膜の作成と特性

Siゲ-ト型MNOSメモリのキャリア伝導特性

2モ-ド不均一結合系の一解法とその応用

放物筒導波管による円形(TE0n)から方形導波管へのモ-ド変換