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目次
82(11) (通号 131) 1999.11
- 有限要素スキームを用いたビーム伝搬法とその光導波路解析への応用
p.599～608
- 基板表面処理のGaAs界面特性への影響
p.625～630
- CDMA方式を用いた有線通信インタフェース
p.631～636
82(4) (通号 124) 1999.04
- 解説論文 匂いセンシングシステム
p.146～154
- 解説論文 SOI CMOSの現状と展望
p.155～164
- 金ボンディングワイヤの機械的特性と微細組織
p.165～172
- スパッタ蒸着法による有機層上へのITO電極の作製
p.173～180
82(9) (通号 129) 1999.09
- 解説論文 強誘電体不揮発性メモリの開発動向
p.477～485
- (電子回路)位相雑音拡大法を用いた高精度発振器の位相雑音測定に関する検討
p.486～492
- (電子材料)TiO2膜成長に与えるSi表面プラズマクリーニング効果
p.493～497
82(3) (通号 123) 1999.03
- マイクロマシン関連技術論文小特集
p.83～108
82(10) (通号 130) 1999.10
- ハイメサ導波路を用いた半導体アレー導波路格子の研究
p.535～542
- 高出力マイクロポンプの開発
p.551～556
- SiHx(CH3)4-x分子のSi表面吸着過程の赤外反射分光解析
p.557～562
- 解析にエリアモデルを用いたSpindt型Mo FEAの電子放出特性
p.563～570
82(5) (通号 125) 1999.05
- チップ間高速信号伝送用イコライズ技術
p.239～246
- 真空マイクロエレクトロニクスの展望
p.247～257
- Wコンタクト開離時アークのガス相移行と平均スペクトル強度との関連について
p.258～266
- LCDパネルにおけるUVシール材の適用検討
p.267～272
- TIJヒータ上インク残渣の除去方法
p.273～280
82(8) (通号 128) 1999.08
- 超高速共鳴トンネル多値回路--量子効果デバイスの新しい可能性
p.421～431
- 超高真空系で作製したMo/(100)Si系のシリサイド形成初期過程
p.432～438
- CVD法による銅薄膜の成膜とガスの流れの関係
p.439～445
- 低温熱処理におけるボロンの初期異常拡散
p.446～450
- Alゲート電力GaAs MESFETの高信頼化手法
p.451～458
82(12) (通号 132) 1999.12
- 軸索のハードウェアモデル
p.655～661
- マルチテール技術に基づくトランスコンダクタの一構成法
p.662～671
82(2) (通号 122) 1999.02
- ギガビットULSIに向けた極薄シリコン酸窒化膜
p.49～55
- カスコード型ハイインピーダンスGaAs定電流源回路
p.75～77
82(1) (通号 121) 1999.01
- 統計シミュレーションによるLSI故障分布関数の解析
p.31～39
82(6) (通号 126) 1999.06
- サブバンド間遷移を用いた超高速光制御光変調
p.293～302
- 液晶注入シミュレーションモデルの構築
p.303～307
- 速度テーパ付き空胴結合型進行波管の動作電圧特性
p.314～322
- シームレス接合技術を用いた直視型TFT-LCD
p.323～328
82(7) (通号 127) 1999.07
- 超伝導SQUID応用の新展開
p.367～675
- 圧電セラミックスを用いたアクチュエータの特性に及ぼす添加物効果
p.376～684
- MOSFETの1/f雑音測定とモデリング
p.385～391
- 一線式非同期SFQディジタル回路
p.398～406
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書誌情報
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- 資料種別
- 雑誌
- ISSN
- 0915-1907
- ISSN-L
- 0915-1907
- タイトル
- タイトルよみ
- デンシ ジョウホウ ツウシン ガッカイ ロンブンシ
- 巻次・部編番号
- C-2282(1) (通号 121)-82(12) (通号 132) 19990100-19991200
- 部編名
- エレクトロニクス電子素子・応用
- 著者・編者
- 電子情報通信学会 編