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5(6) 2008.6
- 固体ソース供給システムでハフニウム系ゲート絶縁膜を実現
p.18~24
- SACVD酸化膜による電気性能の改善
p.25~29
- 極浅接合技術の傾向
p.31~35
- SEMを使用した新しいウェーハ検査レシピ最適化法
p.36~39
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書誌情報
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- 資料種別
- 雑誌
- タイトルよみ
- Semiconductor international
- 巻次・部編番号
- 5巻6号 2008年6月
- 部編名
- 日本版
- 著者標目
- リードビジネスインフォメーション株式会社 リード ビジネス インフォメーション カブシキ ガイシャ ( 01011123 )典拠
- 出版年月日等
- 2008
- 出版年(W3CDTF)
- 2008
- 刊行巻次・年月次
- v. 1, no. 1 (2004年11月)-v. 6, no. 4 (2009年12月)