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電子書籍・電子雑誌プラズマ・核融合学会誌
巻号79 3
2.EUVリソグラフ...

2.EUVリソグラフィと露光装置(<小特集>リソグラフィ用EUV(極端紫外)光源研究の現状と将来展望)

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2.EUVリソグラフィと露光装置(<小特集>リソグラフィ用EUV(極端紫外)光源研究の現状と将来展望)

国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/10455270
資料種別
記事
著者
村上,勝彦ほか
出版者
プラズマ・核融合学会
出版年
2003-03-25
資料形態
デジタル
掲載誌名
プラズマ・核融合学会誌 79(3)
掲載ページ
p.221-225
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資料に関する注記

一般注記:

Affiliation: Association of Super Advanced Electronics Technologies (ASET)Affiliation: Precision Equipment Company, Nikon Corpration著者所属: (株)ニコン 精機カンパ...

資料詳細

要約等:

The resolution limit of conventional optical lithography is thought to be around 70 nm. EUV lithography using EUV radiation with a wavelength region o...

書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
村上,勝彦
岡崎,信次
出版年月日等
2003-03-25
出版年(W3CDTF)
2003-03-25
並列タイトル等
EUV Lithography and Exposure Tool (<Special Topic Article>Present Status and Future of EUV(Extreme Ultra Violet Light Source Research)
タイトル(掲載誌)
プラズマ・核融合学会誌
巻号年月日等(掲載誌)
79(3)
掲載巻
79(3)