イオン選択性電界効果トランジスターの製作

• 資料種別: 記事
• タイトル: イオン選択性電界効果トランジスターの製作
• 著者・編者: 氏平,祐輔
• 出版事項: 日本 : 日本分析化学会
• 出版年月日等: 1986-02-05
• 出版年（W3CDTF）: 1986-02-05
• 並列タイトル等: Fabrication of ion selective field effect transistors.
• タイトル（掲載誌）: 分析化学
• 巻号年月日等（掲載誌）: 35(2)
• 掲載巻: 35(2)
• 掲載ページ: 65-74
• 本文の言語コード: JPN
• 著者別名: UJIHIRA,Yusuke
• 件名標目: hydrogen ion sensitive field effect transistor; sodium ion sensitive field effect transistor; potassium ion sensitive field effect transistor; fabrication of ISFET; FET ion sensor
• 一般注記: 著者所属: 東京大学工学部工業化学科; Affiliation: Department of Industrial Chemistry, Faculty of Engineering, The University of Tokyo
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/10891136; https://dl.ndl.go.jp/pid/10891136
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 学協会; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00043
• 収集根拠: NII-ELS
• 公開開始日（W3CDTF）: 2017-08-30
• 受理日（W3CDTF）: 2017-08-22
• 保存日（W3CDTF）: 2017-08-22
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 遠隔複写可否（NDL）: 不可
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/10399378; https://dl.ndl.go.jp/pid/10399378
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

• 要約等: 漏えい電流がない大きさ0.5mm×6mmのH^+,Na^+及びK^+選択性シリコン-オン-サファイア-FET(電界効果トランジスター)を試作した.H^+ISFET(水素イオン選択性電界効果トランジスター)は,FETのゲート上にTa_2O_5をスパッターで付着させて作ったが,pH 2〜10の範囲で1p...