イオン選択性電界効果トランジスターの製作

• Material Type: 記事
• Title: イオン選択性電界効果トランジスターの製作
• Author/Editor: 氏平,祐輔
• Publication, Distribution, etc.: 日本 : 日本分析化学会
• Publication Date: 1986-02-05
• Publication Date (W3CDTF): 1986-02-05
• Alternative Title: Fabrication of ion selective field effect transistors.
• Periodical title: 分析化学
• No. or year of volume/issue: 35(2)
• Volume: 35(2)
• Pages: 65-74
• Text Language Code: JPN
• Alias of Author: UJIHIRA,Yusuke
• Subject Heading: hydrogen ion sensitive field effect transistor; sodium ion sensitive field effect transistor; potassium ion sensitive field effect transistor; fabrication of ISFET; FET ion sensor
• Note (General): 著者所属: 東京大学工学部工業化学科; Affiliation: Department of Industrial Chemistry, Faculty of Engineering, The University of Tokyo
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/10891136; https://dl.ndl.go.jp/pid/10891136
• Collection: 障害者向け資料
• Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 学協会; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00043
• Acquisition Basis: NII-ELS
• Available (W3CDTF): 2017-08-30
• Date Accepted (W3CDTF): 2017-08-22
• Date Captured (W3CDTF): 2017-08-22
• Format (IMT): application/pdf
• Access Restrictions: インターネット公開
• Availability of remote photoduplication service: 不可
• Periodical Title (Persistent ID (NDL)): info:ndljp/pid/10399378; https://dl.ndl.go.jp/pid/10399378
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

• Summary, etc.: 漏えい電流がない大きさ0.5mm×6mmのH^+,Na^+及びK^+選択性シリコン-オン-サファイア-FET(電界効果トランジスター)を試作した.H^+ISFET(水素イオン選択性電界効果トランジスター)は,FETのゲート上にTa_2O_5をスパッターで付着させて作ったが,pH 2〜10の範囲で1p...