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電子書籍・電子雑誌分析化学
巻号36 4
同位体希釈二次イオン...

同位体希釈二次イオン質量分析法による半導体材料中のホウ素,ニッケル及びモリブデンの定量

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同位体希釈二次イオン質量分析法による半導体材料中のホウ素,ニッケル及びモリブデンの定量

国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/10891516
資料種別
記事
著者
川島,泉ほか
出版者
日本分析化学会
出版年
1987-04-05
資料形態
デジタル
掲載誌名
分析化学 36(4)
掲載ページ
p.223-227
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資料に関する注記

一般注記:

著者所属: 日本電信電話(株)電気通信研究所Affiliation: NTT Electrical Communication Laboratories

資料詳細

要約等:

SIMSを用いた同位体希釈法による微量元素の分析方法を検討した.試料溶液にスパイクを添加した後,妨害成分を分離,除去する.この溶液を5μlまで濃縮してSIMS試料台へ滴下,乾燥させる.乾燥残留物試料をSIMSで分析し,測定した同位体比から目的元素を定量する方法である.10^<-9>〜10^<-6>g...

書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
川島,泉
藤永,清久
本間,中八郎
出版年月日等
1987-04-05
出版年(W3CDTF)
1987-04-05
並列タイトル等
Determination of B, Ni and Mo in semiconductor materials by isotope dilution SIMS.
タイトル(掲載誌)
分析化学
巻号年月日等(掲載誌)
36(4)
掲載巻
36(4)