同位体希釈二次イオン質量分析法による半導体材料中のホウ素,ニッケル及びモリブデンの定量

• Material Type: 記事
• Title: 同位体希釈二次イオン質量分析法による半導体材料中のホウ素,ニッケル及びモリブデンの定量
• Author/Editor: 川島,泉; 藤永,清久; 本間,中八郎
• Publication, Distribution, etc.: 日本 : 日本分析化学会
• Publication Date: 1987-04-05
• Publication Date (W3CDTF): 1987-04-05
• Alternative Title: Determination of B, Ni and Mo in semiconductor materials by isotope dilution SIMS.
• Periodical title: 分析化学
• No. or year of volume/issue: 36(4)
• Volume: 36(4)
• Pages: 223-227
• Text Language Code: JPN
• Alias of Author: KAWASHIMA,Izumi; FUJINAGA,Kiyohisa; HONMA,Nakahachiro
• Subject Heading: B; Ni; Mo; semiconductor materials; isotope dilution-SIMS
• Note (General): 著者所属: 日本電信電話(株)電気通信研究所; Affiliation: NTT Electrical Communication Laboratories
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/10891516; https://dl.ndl.go.jp/pid/10891516
• Collection: 障害者向け資料
• Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 学協会; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00043
• Acquisition Basis: NII-ELS
• Available (W3CDTF): 2017-08-30
• Date Accepted (W3CDTF): 2017-08-22
• Date Captured (W3CDTF): 2017-08-22
• Format (IMT): application/pdf
• Access Restrictions: インターネット公開
• Availability of remote photoduplication service: 不可
• Periodical Title (Persistent ID (NDL)): info:ndljp/pid/10399392; https://dl.ndl.go.jp/pid/10399392
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

• Summary, etc.: SIMSを用いた同位体希釈法による微量元素の分析方法を検討した.試料溶液にスパイクを添加した後,妨害成分を分離,除去する.この溶液を5μlまで濃縮してSIMS試料台へ滴下,乾燥させる.乾燥残留物試料をSIMSで分析し,測定した同位体比から目的元素を定量する方法である.10^<-9>〜10^<-6>g...