加熱気化/誘導結合プラズマ質量分析法によるシリコンウェハー中の超微量クロム, 鉄, ニッケル及び銅の深さ方向分布の測定

• 資料種別: 記事
• タイトル: 加熱気化/誘導結合プラズマ質量分析法によるシリコンウェハー中の超微量クロム, 鉄, ニッケル及び銅の深さ方向分布の測定
• 著者・編者: 竹中,みゆき; 富田,充裕; 窪田,敦子; 土屋,憲彦; 松永,秀樹
• 出版事項: 日本 : 日本分析化学会
• 出版年月日等: 1994-02-05
• 出版年（W3CDTF）: 1994-02-05
• 並列タイトル等: Depth profiling of ultratrace chromium, iron, nickel, and copper in silicon wafers by electrothermal vaporization/ICP-MS
• タイトル（掲載誌）: 分析化学
• 巻号年月日等（掲載誌）: 43(2)
• 掲載巻: 43(2)
• 掲載ページ: 173-176
• 本文の言語コード: JPN
• 著者別名: TAKENAKA,Miyuki; TOMITA,Mitsuhiro; KUBOTA,Atsuko; TSUCHIYA,Norihiko; MATSUNAGA,Hideki
• 件名標目: depth profiling; electrothermal vaporization; ICP-MS; silicon wafer; chromium, iron, nickel, and copper
• 一般注記: 著者所属: 著者所属: (株)東芝研究開発センター; 著者所属: (株)東芝半導体材料事業部; Affiliation: Affiliation: Research and Development Center, Toshiba Corporation; Affiliation: Semiconductor Materials Engineering Dept., Toshiba Corporation
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/10893281; https://dl.ndl.go.jp/pid/10893281
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 学協会; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00043
• 収集根拠: NII-ELS
• 公開開始日（W3CDTF）: 2017-08-30
• 受理日（W3CDTF）: 2017-08-22
• 保存日（W3CDTF）: 2017-08-22
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 遠隔複写可否（NDL）: 不可
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/10399474; https://dl.ndl.go.jp/pid/10399474
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

• 要約等: 半導体材料であるシリコンウェハーの深さ方向に分布する超微量クロム, 鉄, ニッケル及び銅の定量法を加熱気化/誘導結合プラズマ質量分析法を用いて検討した.試料を硝酸とフッ化水素酸の混酸で漸次溶解させる条件を設定し, エッチング厚さを0.01〜10μmまで適宜変化させることが可能となった.既知濃度のイオ...