加熱気化/誘導結合プラズマ質量分析法によるシリコンウェハー中の超微量クロム, 鉄, ニッケル及び銅の深さ方向分布の測定

• Material Type: 記事
• Title: 加熱気化/誘導結合プラズマ質量分析法によるシリコンウェハー中の超微量クロム, 鉄, ニッケル及び銅の深さ方向分布の測定
• Author/Editor: 竹中,みゆき; 富田,充裕; 窪田,敦子; 土屋,憲彦; 松永,秀樹
• Publication, Distribution, etc.: 日本 : 日本分析化学会
• Publication Date: 1994-02-05
• Publication Date (W3CDTF): 1994-02-05
• Alternative Title: Depth profiling of ultratrace chromium, iron, nickel, and copper in silicon wafers by electrothermal vaporization/ICP-MS
• Periodical title: 分析化学
• No. or year of volume/issue: 43(2)
• Volume: 43(2)
• Pages: 173-176
• Text Language Code: JPN
• Alias of Author: TAKENAKA,Miyuki; TOMITA,Mitsuhiro; KUBOTA,Atsuko; TSUCHIYA,Norihiko; MATSUNAGA,Hideki
• Subject Heading: depth profiling; electrothermal vaporization; ICP-MS; silicon wafer; chromium, iron, nickel, and copper
• Note (General): 著者所属: 著者所属: (株)東芝研究開発センター; 著者所属: (株)東芝半導体材料事業部; Affiliation: Affiliation: Research and Development Center, Toshiba Corporation; Affiliation: Semiconductor Materials Engineering Dept., Toshiba Corporation
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/10893281; https://dl.ndl.go.jp/pid/10893281
• Collection: 障害者向け資料
• Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 学協会; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00043
• Acquisition Basis: NII-ELS
• Available (W3CDTF): 2017-08-30
• Date Accepted (W3CDTF): 2017-08-22
• Date Captured (W3CDTF): 2017-08-22
• Format (IMT): application/pdf
• Access Restrictions: インターネット公開
• Availability of remote photoduplication service: 不可
• Periodical Title (Persistent ID (NDL)): info:ndljp/pid/10399474; https://dl.ndl.go.jp/pid/10399474
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

• Summary, etc.: 半導体材料であるシリコンウェハーの深さ方向に分布する超微量クロム, 鉄, ニッケル及び銅の定量法を加熱気化/誘導結合プラズマ質量分析法を用いて検討した.試料を硝酸とフッ化水素酸の混酸で漸次溶解させる条件を設定し, エッチング厚さを0.01〜10μmまで適宜変化させることが可能となった.既知濃度のイオ...