全反射蛍光X線分析用シリコンウェハー標準試料の開発と半導体表面汚染分析への応用

• 資料種別: 記事
• タイトル: 全反射蛍光X線分析用シリコンウェハー標準試料の開発と半導体表面汚染分析への応用
• 著者・編者: 森,良弘; 上村,賢一
• 出版事項: 日本 : 日本分析化学会
• 出版年月日等: 2004-02-05
• 出版年（W3CDTF）: 2004-02-05
• 並列タイトル等: Development of a standard sample preparation method for total-reflection X-ray fluorescence analysis and its semiconductor applications
• タイトル（掲載誌）: 分析化学
• 巻号年月日等（掲載誌）: 53(2)
• 掲載巻: 53(2)
• 掲載ページ: 61-69
• 本文の言語コード: JPN
• 著者別名: MORI,Yoshihiro; UEMURA,Kenichi
• 件名標目: total-reflection X-ray fluorescence (TXRF) analysis; semiconductor surface characterization; trace contamination analysis; reference standard sample; cross check
• 一般注記: 著者所属: ワッカーエヌエスシーイー株式会社R&Dグループ; Affiliation: R&D Group, Wacker-NSCE Corporation
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/10895690; https://dl.ndl.go.jp/pid/10895690
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 学協会; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00043
• 収集根拠: NII-ELS
• 公開開始日（W3CDTF）: 2017-08-30
• 受理日（W3CDTF）: 2017-08-22
• 保存日（W3CDTF）: 2017-08-22
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 遠隔複写可否（NDL）: 不可
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/10399592; https://dl.ndl.go.jp/pid/10399592
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

• 要約等: 半導体基板材料として用いられるシリコンウェハーには高度な表面汚染制御が要求され,そのための評価手法の一つとして全反射蛍光X線(total-reflection X-ray fluorescence analysis, TXRF)分析法が広く普及している.しかしTXRF法における信号強度は分析対象元素...