全反射蛍光X線分析用シリコンウェハー標準試料の開発と半導体表面汚染分析への応用

• Material Type: 記事
• Title: 全反射蛍光X線分析用シリコンウェハー標準試料の開発と半導体表面汚染分析への応用
• Author/Editor: 森,良弘; 上村,賢一
• Publication, Distribution, etc.: 日本 : 日本分析化学会
• Publication Date: 2004-02-05
• Publication Date (W3CDTF): 2004-02-05
• Alternative Title: Development of a standard sample preparation method for total-reflection X-ray fluorescence analysis and its semiconductor applications
• Periodical title: 分析化学
• No. or year of volume/issue: 53(2)
• Volume: 53(2)
• Pages: 61-69
• Text Language Code: JPN
• Alias of Author: MORI,Yoshihiro; UEMURA,Kenichi
• Subject Heading: total-reflection X-ray fluorescence (TXRF) analysis; semiconductor surface characterization; trace contamination analysis; reference standard sample; cross check
• Note (General): 著者所属: ワッカーエヌエスシーイー株式会社R&Dグループ; Affiliation: R&D Group, Wacker-NSCE Corporation
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/10895690; https://dl.ndl.go.jp/pid/10895690
• Collection: 障害者向け資料
• Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 学協会; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00043
• Acquisition Basis: NII-ELS
• Available (W3CDTF): 2017-08-30
• Date Accepted (W3CDTF): 2017-08-22
• Date Captured (W3CDTF): 2017-08-22
• Format (IMT): application/pdf
• Access Restrictions: インターネット公開
• Availability of remote photoduplication service: 不可
• Periodical Title (Persistent ID (NDL)): info:ndljp/pid/10399592; https://dl.ndl.go.jp/pid/10399592
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

• Summary, etc.: 半導体基板材料として用いられるシリコンウェハーには高度な表面汚染制御が要求され,そのための評価手法の一つとして全反射蛍光X線(total-reflection X-ray fluorescence analysis, TXRF)分析法が広く普及している.しかしTXRF法における信号強度は分析対象元素...