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電子書籍・電子雑誌物性研究
巻号58 1
半導体化合物のバルク...

半導体化合物のバルク物性への熱振動の影響

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半導体化合物のバルク物性への熱振動の影響

国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/10936887
資料種別
記事
著者
加賀屋,弘子ほか
出版者
物性研究刊行会
出版年
1992-04-20
資料形態
デジタル
掲載誌名
物性研究 58(1)
掲載ページ
p.1-7
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資料に関する注記

一般注記:

著者所属: 秋田大・鉱山著者所属: 秋田大・鉱山:(現)東芝K.K.

資料詳細

要約等:

正四面体的配置をとる13種の半導体化合物即ちAlP,AlAs,AlSb,GaP,GaAs,GaSb,InP,InAs,InSb,ZnS,ZnSe,ZnTe及びCdTeのHelmholtz自由エネルギー及び熱的圧力への格子振動の寄与が,固体電子論から我々の提案した結合力に基づく動力学的取扱いにより研究...

書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
加賀屋,弘子
相馬,俊信
小徳,弘明
出版年月日等
1992-04-20
出版年(W3CDTF)
1992-04-20
タイトル(掲載誌)
物性研究
巻号年月日等(掲載誌)
58(1)
掲載巻
58(1)
掲載ページ
1-7