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電子書籍・電子雑誌物性研究
Volume number58 1
半導体化合物のバルク...

半導体化合物のバルク物性への熱振動の影響

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半導体化合物のバルク物性への熱振動の影響

Persistent ID (NDL)
info:ndljp/pid/10936887
Material type
記事
Author
加賀屋,弘子ほか
Publisher
物性研究刊行会
Publication date
1992-04-20
Material Format
Digital
Journal name
物性研究 58(1)
Publication Page
p.1-7
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Notes on use

Note (General):

著者所属: 秋田大・鉱山著者所属: 秋田大・鉱山:(現)東芝K.K.

Detailed bibliographic record

Summary, etc.:

正四面体的配置をとる13種の半導体化合物即ちAlP,AlAs,AlSb,GaP,GaAs,GaSb,InP,InAs,InSb,ZnS,ZnSe,ZnTe及びCdTeのHelmholtz自由エネルギー及び熱的圧力への格子振動の寄与が,固体電子論から我々の提案した結合力に基づく動力学的取扱いにより研究...

Bibliographic Record

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Digital

Material Type
記事
Author/Editor
加賀屋,弘子
相馬,俊信
小徳,弘明
Publication, Distribution, etc.
Publication Date
1992-04-20
Publication Date (W3CDTF)
1992-04-20
Periodical title
物性研究
No. or year of volume/issue
58(1)
Volume
58(1)
Pages
1-7