縦型反転層ダイヤモンドMOSFET実現に向けたNi触媒エッチングを用いた横型Schottky-pnダイオードの開発

• 資料種別: 記事
• タイトル: 縦型反転層ダイヤモンドMOSFET実現に向けたNi触媒エッチングを用いた横型Schottky-pnダイオードの開発
• 著者・編者: 松本翼
• 出版事項: 日本 : 京都技術科学センター
• 並列タイトル等: Development of lateral Schottky-pn diode using Ni catalyst etching for realization of vertical inversion channel diamond MOSFET
• タイトル（掲載誌）: 研究助成成果報告書
• 巻号年月日等（掲載誌）: 平成30年度
• 掲載巻: 平成30年度
• 本文の言語コード: jpn
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/14443788; https://dl.ndl.go.jp/pid/14443788
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > その他; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00035
• 収集根拠: インターネット資料収集保存事業（WARP）
• 受理日（W3CDTF）: 2025-08-01T13:06:39+09:00
• 保存日（W3CDTF）: 2024-05-20
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 遠隔複写可否（NDL）: 不可
• 掲載誌（URI）: https://warp.da.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/13694366/www.khc.or.jp/enquiry/result/30results.html
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/14443784; https://dl.ndl.go.jp/pid/14443784
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp