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電子書籍・電子雑誌研究助成成果報告書
Volume number平成30年度
縦型反転層ダイヤモン...

縦型反転層ダイヤモンドMOSFET実現に向けたNi触媒エッチングを用いた横型Schottky-pnダイオードの開発

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縦型反転層ダイヤモンドMOSFET実現に向けたNi触媒エッチングを用いた横型Schottky-pnダイオードの開発

Persistent ID (NDL)
info:ndljp/pid/14443788
Material type
記事
Author
松本翼
Publisher
京都技術科学センター
Publication date
-
Material Format
Digital
Journal name
研究助成成果報告書 平成30年度
Publication Page
-
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Bibliographic Record

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Digital

Material Type
記事
Author/Editor
松本翼
Publication, Distribution, etc.
Alternative Title
Development of lateral Schottky-pn diode using Ni catalyst etching for realization of vertical inversion channel diamond MOSFET
Periodical title
研究助成成果報告書
No. or year of volume/issue
平成30年度
Volume
平成30年度
Text Language Code
jpn
Persistent ID (NDL)
info:ndljp/pid/14443788