エネルギーを制御した薄膜イオンプロセスのトンネル接合素子作製への応用

• Material Type: 博士論文
• Title: エネルギーを制御した薄膜イオンプロセスのトンネル接合素子作製への応用
• Title Transcription: エネルギー オ セイギョシタ ハクマク イオン プロセス ノ トンネル セツゴウ ソシ サクセイ エ ノ オウヨウ
• Author/Editor: 宇佐美興一 [著]
• Author Heading: 宇佐美, 興一 ウサミ, コウイチ
• Degree grantor/type: 東北大学
• Date Granted: 平成5年11月10日
• Date Granted (W3CDTF): 1993
• Dissertation Number: 乙第6198号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-94-F326
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000269269; http://id.ndl.go.jp/bib/000000269269
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

この論文の概要

第1章 序論

1-1 薄膜イオンプロセスの重要性とその問題点

1-2 薄膜イオンプロセスの低エネルギー化の研究動向