混成ソース分子線エピタキシー法によるSiGe成長とSOI構造への応用に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: 混成ソース分子線エピタキシー法によるSiGe成長とSOI構造への応用に関する研究
• Title Transcription: コンセイ ソース ブンシセン エピタキシーホウ ニ ヨル SiGe セイチョウ ト SOI コウゾウ エ ノ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 和戸弘幸 [著]
• Author Heading: 和戸, 弘幸 ワド, ヒロユキ
• Degree grantor/type: 豊橋技術科学大学
• Date Granted: 平成8年3月22日
• Date Granted (W3CDTF): 1996
• Dissertation Number: 甲第158号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-96-D379
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000294418; http://id.ndl.go.jp/bib/000000294418
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

論文要旨

目次

第1章 序論

§1.1 Si系ヘテロ構造デバイス

§1.2 IV族､特にSiGeヘテロ接合デバイス