Si基板上へのSi,Ge,PtSiの分子線エピタキシャル成長に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: Si基板上へのSi,Ge,PtSiの分子線エピタキシャル成長に関する研究
• Title Transcription: Si キバンジョウ エ ノ Si , Ge , PtSi ノ ブンシセン エピタキシャル セイチョウ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 熊谷義直 [著]
• Author Heading: 熊谷, 義直 クマガイ, ヨシナオ
• Degree grantor/type: 筑波大学
• Date Granted: 平成8年3月25日
• Date Granted (W3CDTF): 1996
• Dissertation Number: 甲第1530号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-96-U396
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000302815; http://id.ndl.go.jp/bib/000000302815
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

第1章 序論

第2章 研究の背景と目的

2-1 Si基板表面の清浄化と問題点

2-2 サーファクタント効果を利用したSi,GeのMBE成長