Studies on surface reactions in Ge chemical vapor deposition

• Material Type: 博士論文
• Title: Studies on surface reactions in Ge chemical vapor deposition
• Author/Editor: 石井仁 [著]
• Author Heading: 石井, 仁 イシイ, ヒロム
• Alternative Title: ゲルマニウムの化学気相成長における表面反応の研究 ゲルマニウム ノ カガク キソウ セイチョウ ニ オケル ヒョウメン ハンノウ ノ ケンキュウ
• Degree grantor/type: 東京大学
• Date Granted: 平成8年3月11日
• Date Granted (W3CDTF): 1996
• Dissertation Number: 乙第12737号
• Degree Type: 博士 (理学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-97-R484
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000313341; http://id.ndl.go.jp/bib/000000313341
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

CONTENTS

Acknowledgments

1.General Introduction

1-1.Chemical Vapor Deposition in Si Semiconductor Processes

1-2.Ge Chemical Vapor Deposition