MOCVD法によるサファイア基板上GaNの成長に関する研究
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Table of Contents
―目次―
p1
第1章 序論
p1
1.1 はじめに
p1
1.2 窒化物系半導体のエピタキシャル成長
p4
1.3 新たな試み
p6
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Bibliographic Record
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- Material Type
- 博士論文
- Title Transcription
- MOCVDホウ ニ ヨル サファイア キバンジョウ GaN ノ セイチョウ ニ カンスル ケンキュウ
- Author/Editor
- 石川博康 [著]
- Author Heading
- 石川, 博康 イシカワ, ヒロヤス
- Degree grantor/type
- 名古屋工業大学
- Date Granted
- 平成10年3月24日
- Date Granted (W3CDTF)
- 1998
- Dissertation Number
- 甲第225号
- Degree Type
- 博士 (工学)