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博士論文

MOCVD法によるサファイア基板上GaNの成長に関する研究

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国立国会図書館デジタルコレクション

MOCVD法によるサファイア基板上GaNの成長に関する研究

Call No. (NDL)
UT51-98-E145
Bibliographic ID of National Diet Library
000000319469
Persistent ID (NDL)
info:ndljp/pid/3134277
Material type
博士論文
Author
石川博康 [著]
Publisher
-
Publication date
-
Material Format
Paper・Digital
Capacity, size, etc.
-
Name of awarding university/degree
名古屋工業大学,博士 (工学)
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博士論文

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  • ―目次―

    p1

  • 第1章 序論

    p1

  • 1.1 はじめに

    p1

  • 1.2 窒化物系半導体のエピタキシャル成長

    p4

  • 1.3 新たな試み

    p6

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Paper Digital

Material Type
博士論文
Title
MOCVD法によるサファイア基板上GaNの成長に関する研究
Title Transcription
MOCVDホウ ニ ヨル サファイア キバンジョウ GaN ノ セイチョウ ニ カンスル ケンキュウ
Author/Editor
石川博康 [著]
Author Heading
石川, 博康 イシカワ, ヒロヤス
Degree grantor/type
名古屋工業大学
Date Granted
平成10年3月24日
Date Granted (W3CDTF)
1998
Dissertation Number
甲第225号
Degree Type
博士 (工学)