シリコン単結晶連続引上法におけるドーパントおよび酸素の濃度制御法開発に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: シリコン単結晶連続引上法におけるドーパントおよび酸素の濃度制御法開発に関する研究
• Title Transcription: シリコン タンケッショウ レンゾク ヒキアゲホウ ニ オケル ドーパント オヨビ サンソ ノ ノウド セイギョホウ カイハツ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 小野直樹 [著]
• Author Heading: 小野, 直樹 オノ, ナオキ
• Degree Grantor: 東京大学
• Date Granted: 平成10年2月12日
• Date Granted (W3CDTF): 1998
• Dissertation Number: 乙第13690号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-99-V375
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000343817; http://id.ndl.go.jp/bib/000000343817
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

第1章 序章

1-1 序

1-2 従来のチョクラルスキー法の問題点

1-3 開発の目標について