半導体デバイスにおけるシリコン基板内転位発生挙動に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: 半導体デバイスにおけるシリコン基板内転位発生挙動に関する研究
• Title Transcription: ハンドウタイ デバイス ニ オケル シリコン キバン ナイ テンイ ハッセイ キョドウ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 太田裕之 [著]
• Author Heading: 太田, 裕之 オオタ, ヒロユキ
• Publication, Distribution, etc.: [太田裕之]
• Publication Date: [2000]
• Publication Date (W3CDTF): 2000
• Extent: 1冊
• Degree grantor/type: 名古屋大学
• Date Granted: 平成12年11月27日
• Date Granted (W3CDTF): 2000
• Dissertation Number: 乙第5824号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2001-A195
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000395492; http://id.ndl.go.jp/bib/000000395492
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

第1章 緒論

1.1 半導体デバイスの材料強度学的課題

1.2 シリコン基板中の転位発生予測に対する課題

1.3 本論文の目的と構成