半導体製造における酸化・拡散行程のシミュレーションに関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: 半導体製造における酸化・拡散行程のシミュレーションに関する研究
• Title Transcription: ハンドウタイ セイゾウ ニ オケル サンカ カクサン コウテイ ノ シミュレーション ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 内田哲也 [著]
• Author Heading: 内田, 哲也 ウチダ, テツヤ
• Publication, Distribution, etc.: [内田哲也]
• Publication Date: 2001
• Publication Date (W3CDTF): 2001
• Extent: 1冊
• Degree grantor/type: 大阪大学
• Date Granted: 平成13年3月23日
• Date Granted (W3CDTF): 2001
• Dissertation Number: 甲第8013号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2001-G356
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000402562; http://id.ndl.go.jp/bib/000000402562
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

内容梗概

第1章 シリコンの熱酸化工程で発生する応力のシミュレーション

1.1 はじめに

1.2 シリコンの熱酸化モデル