博士論文
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半導体製造における酸化・拡散行程のシミュレーションに関する研究

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半導体製造における酸化・拡散行程のシミュレーションに関する研究

Call No. (NDL)
UT51-2001-G356
Bibliographic ID of National Diet Library
000000402562
Persistent ID (NDL)
info:ndljp/pid/3184410
Material type
博士論文
Author
内田哲也 [著]
Publisher
[内田哲也]
Publication date
2001
Material Format
Paper・Digital
Capacity, size, etc.
1冊
Name of awarding university/degree
大阪大学,博士 (工学)
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Notes on use

Note (General):

博士論文

Table of Contents

  • 目次

    p3

  • 内容梗概

    p1

  • 第1章 シリコンの熱酸化工程で発生する応力のシミュレーション

    p1

  • 1.1 はじめに

    p1

  • 1.2 シリコンの熱酸化モデル

    p3

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Bibliographic Record

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Paper Digital

Material Type
博士論文
Title Transcription
ハンドウタイ セイゾウ ニ オケル サンカ カクサン コウテイ ノ シミュレーション ニ カンスル ケンキュウ
Author/Editor
内田哲也 [著]
Author Heading
内田, 哲也 ウチダ, テツヤ
Publication, Distribution, etc.
Publication Date
2001
Publication Date (W3CDTF)
2001
Extent
1冊
Degree grantor/type
大阪大学