急峻なサブスレッショルド特性を持つ“ＰＮ‐ｂｏｄｙ ｔｉｅｄ ＳＯＩ‐ＦＥＴ”の研究

• Material Type: 博士論文
• Title: 急峻なサブスレッショルド特性を持つ“ＰＮ‐ｂｏｄｙ ｔｉｅｄ ＳＯＩ‐ＦＥＴ”の研究
• Author/Editor: 森, 貴之
• Author Heading: 森, 貴之
• Publication Date: 2019-03-20
• Publication Date (W3CDTF): 2019-03-20
• Alternative Title: キュウシュン ナ サブスレッショルドトクセイ ヲ モツ ＰＮ ｂｏｄｙ ｔｉｅｄ ＳＯＩ ＦＥＴ の ケンキュウ
• Degree grantor/type: 金沢工業大学
• Date Granted: 2019-03-20
• Date Granted (W3CDTF): 2019-03-20
• Dissertation Number: 乙第55号
• Degree Type: 博士(工学)
• Conferring No. (Dissertation): 乙第55号
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): type:学位論文;Thesis or Dissertation; 大規模集積回路の低消費電力化には、その構成素子であるMOSFETのサブスレッショルド特性を急峻化させる必要がある。しかし、従来型MOSFETのサブスレッショルド特性は動作原理に基づく物理的限界を持っている。本研究では新原理で動作する“PN-body tied SOI-FET”を提案、作製し、先行研究を凌ぐ極急峻なサブスレッショルド特性を実現した。また、応用として“PN-body tied SOI-FET”をRF環境発電用レクテナの整流素子に活用するための検討を行い、従来型ダイオードには困難だった極低入力電圧における整流特性を実証した。; identifier:20190531040
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/11300179; https://dl.ndl.go.jp/pid/11300179
• Collection: 障害者向け資料
• Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
• Date Accepted (W3CDTF): 2019-07-05T01:13:02+09:00
• Date Created (W3CDTF): 2019-05-31
• Format (IMT): application/pdf
• Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
• Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
• Availability of remote photoduplication service: 可
• Periodical Title (URI): http://kitir.kanazawa-it.ac.jp:80/infolib/meta_pub/G0000002repository_20190531040
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp