シリコン基板上窒化ガリウム半導体のナノ分析とバルク評価

Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/12304907

Material type: 記事

Author: 杉本貴紀ほか

Publisher: あいち産業科学技術総合センター

Publication date: 2013

Material Format: Digital

Journal name: あいち産業科学技術総合センター研究報告 2013

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Bibliographic Record

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Digital

Material Type: 記事
Title: シリコン基板上窒化ガリウム半導体のナノ分析とバルク評価
Author/Editor: 杉本貴紀
加藤正樹
中尾俊章
Publication, Distribution, etc.: 日本 : あいち産業科学技術総合センター
Publication Date: 2013
Publication Date (W3CDTF): 2013
Alternative Title: Nano analysis and bulk evaluation for GaN transistor grown on Si substrate
Periodical title: あいち産業科学技術総合センター研究報告
No. or year of volume/issue: 2013
Volume: 2013
Text Language Code: jpn
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/12304907
https://dl.ndl.go.jp/pid/12304907
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 地方公共団体 > 都道府県 > 愛知県
https://dl.ndl.go.jp/collections/B00069
Acquisition Basis: インターネット資料収集保存事業（WARP）
Date Accepted (W3CDTF): 2022-07-05T08:07:06+09:00
Date Captured (W3CDTF): 2021-03-26
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Availability of remote photoduplication service: 不可
Periodical Title (URI): https://warp.da.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/11656280/www.aichi-inst.jp/research/report/
Periodical Title (Persistent ID (NDL)): info:ndljp/pid/12304906
https://dl.ndl.go.jp/pid/12304906
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp