窒化ガリウムスパッタリングターゲットを用いたSi基板上エピタキシャル成膜と評価

Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/12884714

Material type: 記事

Author: 末元祐也ほか

Publisher: 東ソー

Publication date: 2021

Material Format: Digital

Journal name: 研究・技術報告 65

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Digital

Material Type: 記事
Title: 窒化ガリウムスパッタリングターゲットを用いたSi基板上エピタキシャル成膜と評価
Author/Editor: 末元祐也
上岡義弘
召田雅実
Publication, Distribution, etc.: 日本 : 東ソー
Publication Date: 2021
Publication Date (W3CDTF): 2021
Alternative Title: Fabrication and characterization of epitaxial film on Si substrate with GaN sputtering target
Periodical title: 研究・技術報告
No. or year of volume/issue: 65
Volume: 65
Text Language Code: jpn
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/12884714
https://dl.ndl.go.jp/pid/12884714
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > その他
https://dl.ndl.go.jp/collections/B00035
Acquisition Basis: オンライン資料収集制度
Date Accepted (W3CDTF): 2023-06-02T10:47:18+09:00
Date Captured (W3CDTF): 2022-09-20
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
Availability of remote photoduplication service: 可
Periodical Title (URI): https://www.tosoh.co.jp/technology/report/
Periodical Title (Persistent ID (NDL)): info:ndljp/pid/12884712
https://dl.ndl.go.jp/pid/12884712
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp

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