Ⅲ-Ⅴ族半導体の反応性ビームエッチング技術の開発と光デバイスへの応用に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: Ⅲ-Ⅴ族半導体の反応性ビームエッチング技術の開発と光デバイスへの応用に関する研究
• Title Transcription: Ⅲ-Ⅴゾク ハンドウタイ ノ ハンノウセイ ビーム エッチング ギジュツ ノ カイハツ ト ヒカリ デバイス エ ノ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 奥哲 [著]
• Author Heading: 奥, 哲 オク, サトシ
• Degree Grantor: 京都大学
• Date Granted: 平成12年7月24日
• Date Granted (W3CDTF): 2000
• Dissertation Number: 乙第10466号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2000-M49
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000358015; http://id.ndl.go.jp/bib/000000358015
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

論文目録

目次

第1章 序論

1-1 はじめに

1-2 本研究の背景と目的