法政大学イオンビーム工学研究所報告 (9)
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Table of Contents
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巻頭言
p1~2
シリコンバイポーラLSIの現状と将来
p3~17
走査型トンネル顕微鏡とその関連技術
p18~24
イオンビームミキシングによるタングステンシリサイド層の形成
p25~29
Ge/B二重イオン注入Siのラザフォード後方散乱法による評価
p30~34
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Bibliographic Record
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- Material Type
- 雑誌
- Title
- Title Transcription
- ホウセイ ダイガク イオン ビーム コウガク ケンキュウジョ ホウコク
- Volume
- (9)
- Author Heading
- 法政大学イオンビーム工学研究所 ホウセイ ダイガク イオン ビーム コウガク ケンキュウジョ ( 01153636 )Authorities
- Publication, Distribution, etc.
- Publication Date
- 1989-10
- Publication Date (W3CDTF)
- 1989-10
- Year and volume of publication
- 1号(1980)-
- Size
- 26cm