Si基板上高出力GaN HFETの開発

Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/3529094

Material type: 記事

Author: 池田成明ほか

Publisher: 古河電気工業

Publication date: 2008-09

Material Format: Digital

Journal name: 古河電工時報 (122)

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Bibliographic Record

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Digital

Material Type: 記事
Title: Si基板上高出力GaN HFETの開発
Author/Editor: 池田成明
李江
加藤一雄
Publication, Distribution, etc.: 日本 : 古河電気工業
Publication Date: 2008-09
Publication Date (W3CDTF): 2008-09
Extent: 容量 : fj122_05.pdf(1510562bytes)
Alternative Title: High power GaN HFETs on Si substrates
Periodical title: 古河電工時報
No. or year of volume/issue: (122)
Volume: (122)
ISSN (Periodical Title): 1348-1789
ISSN-L (Periodical Title): 0429-9159
Text Language Code: jpn
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/3529094
https://dl.ndl.go.jp/pid/3529094
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > その他
https://dl.ndl.go.jp/collections/B00035
Acquisition Basis: インターネット資料収集保存事業（WARP）
Date Accepted (W3CDTF): 2012-08-28T00:39:54+09:00
Date Captured (W3CDTF): 2010-02-05
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Availability of remote photoduplication service: 不可
Periodical Title (URI): https://warp.da.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/996523/www.furukawa.co.jp/jiho/fj122.htm
Periodical Title (Persistent ID (NDL)): info:ndljp/pid/3529089
https://dl.ndl.go.jp/pid/3529089
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp