軟X線吸収発光分光法によるSiO2/Si界面電子状態のサイト選択的観測

Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/8327600

Material type: 記事

Author: 山下良之ほか

Publisher: 日本表面科学会

Publication date: 2005-09

Material Format: Digital

Journal name: 表面科学 : 日本表面科学会誌 26(9)

Publication Page: -

View All

Bibliographic Record

You can check the details of this material, its authority (keywords that refer to materials on the same subject, author's name, etc.), etc.

Digital

Material Type: 記事
Title: 軟X線吸収発光分光法によるSiO2/Si界面電子状態のサイト選択的観測
Author/Editor: 山下良之
山本達
向井孝三
Publication, Distribution, etc.: 日本 : 日本表面科学会
Publication Date: 2005-09
Publication Date (W3CDTF): 2005-09
Alternative Title: Site-specific observation of the valence electronic structure at SiO2/Si interface by means of soft X-ray absorption and emission spectroscopy
Periodical title: 表面科学 : 日本表面科学会誌
No. or year of volume/issue: 26(9)
Volume: 26(9)
Text Language Code: jpn
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/8327600
https://dl.ndl.go.jp/pid/8327600
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 学協会
https://dl.ndl.go.jp/collections/B00043
Acquisition Basis: インターネット資料収集保存事業（WARP）
Date Accepted (W3CDTF): 2013-10-19T02:33:07+09:00
Date Captured (W3CDTF): 2008-01-26
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Availability of remote photoduplication service: 不可
Periodical Title (URI): https://warp.da.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/274949/www-surface.phys.s.u-tokyo.ac.jp/sssj/Vol26/26-09/26-09.htm
Periodical Title (Persistent ID (NDL)): info:ndljp/pid/8327597
https://dl.ndl.go.jp/pid/8327597
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp