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ナノダイヤモンド中NVセンター形成とその高輝度蛍光化

ナノダイヤモンド中NVセンター形成とその高輝度蛍光化
Paperその他
阿部, 浩之, 大島, 武, Hiroshi, Abe, Takeshi, Ohshima2022-03-25
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量子計測・センサー・イメージング用蛍光ナノダイヤモンド中NVセンター形成と高輝度化

量子計測・センサー・イメージング用蛍光ナノダイヤモンド中NVセンター形成と高輝度化
Paperその他
阿部, 浩之, 佐伯, 誠一, 大島, 武, Hiroshi, Abe, Seiichi, Saiki, Takeshi, Ohshima2022-05-26
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  • Author Heading阿部, 浩之 佐伯, 誠一 大島, 武 Hiroshi, Abe Seiichi, Saiki T...

NdドープGaNフォトニック結晶L3共振器の近赤外発光特性

NdドープGaNフォトニック結晶L3共振器の近赤外発光特性
Paperその他
佐藤, 真一郎, 大音, 隆男, 大島, 武, Shinichiro, Sato, Takeshi, Ohshima2022-03-22
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4H-SiC 結晶中に形成された窒素空孔センタの偏光特性

4H-SiC 結晶中に形成された窒素空孔センタの偏光特性
Paperその他
松下, 大記, 佐藤, 真一郎, 大島, 武, 土方, 泰斗, Shinichiro, Sato, Takeshi, Ohshima2022-03-25
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イオン注入したNdとGaNフォトニック結晶共振器の光学カップリング

イオン注入したNdとGaNフォトニック結晶共振器の光学カップリング
Paperその他
佐藤, 真一郎, 大音, 隆男, 大島, 武, Shinichiro, Sato, Takeshi, Ohshima2021-12-04
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高温電子線照射によるナノダイヤモンドへのNVセンタ形成

高温電子線照射によるナノダイヤモンドへのNVセンタ形成
Paperその他
阿部, 浩之, 佐伯, 誠一, 大島, 武, Hiroshi, Abe, Seiichi, Saiki, Takeshi, Ohshima2021-09-12
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放射線検出器応用を見据えたInGaP太陽電池のアルファ線耐性評価

放射線検出器応用を見据えたInGaP太陽電池のアルファ線耐性評価
Paperその他
今泉, 充, 奥野, 泰希, 佐藤, 真一郎, 大島, 武, Shinichiro, Sato, Takeshi, Ohshima2021-10-15
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NV－センタどうしの磁気双極子双極子相互作用強度の決定

NV－センタどうしの磁気双極子双極子相互作用強度の決定
Digital規格・テクニカルリポート類
眞榮 力, 増山雄太, 宮川 仁, 阿部浩之, 石井秀弥, 佐伯誠一, 小野田忍, 谷口 尚, 大島武, 寺地 徳之ニューダイヤモンドフォーラム2023-07-01NEW DIAMOND 誌39 3p.12-18
Available onlineOther Libraries in Japan

量子ビームを活用したダイヤモンド中への窒素－空孔（NV）形成

量子ビームを活用したダイヤモンド中への窒素－空孔（NV）形成
Paperその他
大島, 武, Ohshima, Takeshi2019-05-23
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  • Author Heading大島, 武 Ohshima, Takeshi

放射線検出器応用のためのInGaP太陽電池のアルファ線劣化評価 –Ⅱ

放射線検出器応用のためのInGaP太陽電池のアルファ線劣化評価 –Ⅱ
Paperその他
今泉, 充, 奥野, 泰希, 佐藤, 真一郎, 大島, 武, Shinichiro, Sato, Takeshi, Ohshima2021-03-17
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NV センターの負電荷割合 - 平衡状態方程式による解釈

NV センターの負電荷割合 - 平衡状態方程式による解釈
Paperその他
真栄, 力, 宮川, 仁, 石井, 秀弥, 小野田, 忍, 谷口, 尚, 大島, 武, Shuya, Ishii, Shinobu, Onoda, Takeshi, Ohshima2021-11-19
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ナノダイヤモンド中のNVセンターの荷電状態変化を介した水溶液中電位計測―神経細胞の活動計測に向けて―

ナノダイヤモンド中のNVセンターの荷電状態変化を介した水溶液中電位計測―神経細胞の活動計測に向けて―
Paperその他
朴相, みん, 中村, 洸介, 徐, 海州, 樋口, 大智, 大島, 武, 小野田, 忍, 谷井, 孝至, Takeshi, Ohshima, Shinobu, Onoda2022-03-23
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  • Author Heading朴相, みん 中村, 洸介 徐, 海州 樋口, 大智 大島, 武 小野田, 忍 谷井, 孝至 Takeshi, Ohshim...

Vドープ4H-SiC単結晶薄膜の半絶縁性に対する不純物の影響

Vドープ4H-SiC単結晶薄膜の半絶縁性に対する不純物の影響
Paperその他
児島, 一聡, 佐藤, 真一郎, 大島, 武, 黒木, 伸一郎, 山口, 浩, Shinichiro, Sato, Takeshi, Ohshima2021-09-10
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  • Author Heading児島, 一聡 佐藤, 真一郎 大島, 武 黒木, 伸一郎 山口, 浩 Shinichiro, Sat...

ナノダイヤモンド中NV センターの量子特性の評価

ナノダイヤモンド中NV センターの量子特性の評価
Paperその他
徐海洲, 中村洸介, 朴サンミン, 小野田忍, 大島武, 谷井孝至, Shinobu, Onoda, Takeshi, Ohshima2021-09-16
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サブバンドギャップ光を用いたガンマ線照射4H-SiC JFETの キャラクタリゼーション

サブバンドギャップ光を用いたガンマ線照射4H-SiC JFETの キャラクタリゼーション
Paperその他
武山, 昭憲, 牧野, 高紘, 大島, 武, 黒木, 伸一郎, 田中, 保宣, Akinori, Takeyama, Takahiro, Makino, Takeshi, Ohshima2021-09-23
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  • Author Heading武山, 昭憲 牧野, 高紘 大島, 武 黒木, 伸一郎 田中, 保宣 Akinori, Takey...

ナノダイヤモンドを用いた神経細胞活動計測に向けた研究

ナノダイヤモンドを用いた神経細胞活動計測に向けた研究
Paperその他
中村洸介, 徐海州, 朴サンミン, 大島武, 小野田忍, 谷井孝至, Takeshi, Ohshima, Shinobu, Onoda2021-09-16
Other Libraries in Japan

フル4H-SiC画素デバイスの紫外線照射下動作特性

フル4H-SiC画素デバイスの紫外線照射下動作特性
Paperその他
黒木, 伸一郎, 西垣内, 健汰, 目黒, 達也, 武山, 昭憲, 大島, 武, 田中, 保宣, Akinori, Takeyama, Takeshi, Ohshima2021-09-11
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  • Author Heading黒木, 伸一郎 西垣内, 健汰 目黒, 達也 武山, 昭憲 大島, 武 田中, 保宣 Akinori, Takeyama Take...

耐放射線 CMOSイメージセンサに向けたSOI Si/4H SiC ハイブリッド画素素子の出力特性

耐放射線 CMOSイメージセンサに向けたSOI Si/4H SiC ハイブリッド画素素子の出力特性
Paperその他
目黒, 達也, 堤, 将之, 武山, 昭憲, 大島, 武, 田中, 保宣, 黒木, 伸一郎, Akinori, Takeyama, Takeshi, Ohshima2021-09-11
Other Libraries in Japan
  • Author Heading目黒, 達也 堤, 将之 武山, 昭憲 大島, 武 田中, 保宣 黒木, 伸一郎 Akinori, Takey...

SiC MOSFETへのガンマ線照射効果研究

SiC MOSFETへのガンマ線照射効果研究
Paperその他
牧野, 高紘, 武山, 昭憲, 小野田, 忍, 土方, 泰斗, 大島, 武, Takahiro, Makino, Akinori, Takeyama, Shinobu, Onoda, Takeshi, Ohshima2021-09-10
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  • Author Heading牧野, 高紘 武山, 昭憲 小野田, 忍 土方, 泰斗 大島, 武 Takahiro, Makino Akinori, Tak...

電子線照射によるIbタイプダイヤモンド中でのNVセンター形成

電子線照射によるIbタイプダイヤモンド中でのNVセンター形成
Paperその他
石井, 秀弥, 佐伯, 誠一, 小野田, 忍, 増山, 雄太, 阿部, 浩之, 大島, 武, Shuya, Ishii, Seiichi, Saiki, Shinobu, Onoda, Yuta, Masuyama, Hiroshi, Abe, Takeshi, Ohshima2022-03-25
Other Libraries in Japan
  • Author Heading... 増山, 雄太 阿部, 浩之 大島, 武 Shuya, Ishii Seiichi, Saiki S...
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