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非相対論的場の量子論における二体問題の作用素解析学的研究

Paper図書

廣川真男, 岡山大学 [著][廣川真男]2006-2007<Y151-H18540180>

National Diet Library

Subject Headingポーラロン / バイポーラロン / ネルソン模型 / 場の量子論

バイポーラ膜を利用した等電点電気透析反応器による蛋白質加水分解反応分離

Paper図書

高橋博, 秋田大学 [著][高橋博]2002-2004<Y151-H14550746>

National Diet Library

Subject Headingバイポーラ膜 / 電気透析 / イオン交換膜 / pH勾配 / アミノ...

バイポ-ラ膜電解による強還元性溶媒の製造とその応用

Paper図書

山下, 智司, 千葉工業大学2000-2002<Y151-H12650739>

National Diet Library

Subject Headingバイポ-ライオン交換膜強還元性溶媒 3価チタン溶液 2価バナジウム...

InP系HBTでのコレクタ層内バリステック電子走行による超高速動作に関する研究

Paper図書

宮本恭幸, 東京工業大学 [著][宮本恭幸]2004-2006<Y151-H16360170>

National Diet Library

Subject Headingヘテロ接合バイポーラトランジスタ / InP / 電子線リソグラフィー / バリ...

高移動度パイ共役分子材料の創製を目指して

Paper図書

播磨, 裕, 広島大学1998-2000<Y151-H10650809>

National Diet Library

Subject Heading移動度伝導機構電子スピン共鳴オリゴチオフエン高分子バイポーラロンポーラロン π-ダイマー

腹腔鏡下自律神経温存手術における各種手術デバイスの神経に及ぼす影響と評価法の確立

Paper図書

小嶋一幸, 東京医科歯科大学 [著][小嶋一幸]2003-2005<Y151-H15591387>

National Diet Library

Subject Heading神経損傷 / 腹腔鏡下手術 / 超音波凝固切開装置 / 電気メス / バイポーラシザーズ / 腹腔鏡下胃切除 / 腹腔鏡下大腸切除 / 神経...

金属細線上へのラテラル成長化合物半導体の結晶性向上に関する研究

Paper図書

宮本, 恭幸, 東京工業大学1999-2001<Y151-H11450006>

National Diet Library

Subject Headingタングステン細線埋込 InP MOVPE タングステンRIE ヘテロ接合バイポーラトランジスタラテラル成長タングステン抵抗評価

メサ側面再結合電流抑制による極微細GaInAs/InP HBTの超高速化

Paper図書

宮本, 恭幸, 東京工業大学1999-2001<Y151-H11555092>

National Diet Library

Subject HeadingGaInAs/InP HBT ヘテロ接合バイポーラトランジスタエミツタ微細化電子ビーム露光アンダーカツト...

バイポーラ膜における水解離機構の解明と膜材料及びシステム設計に関する基礎的研究

Paper図書

谷岡, 明彦, 東京工業大学1998-2000<Y151-H10450294>

National Diet Library

Subject Headingバイポーラ膜水解離第2ウイーン効果ツエナー効果誘電率電流/電...

炭化シリコン超薄膜を正孔障壁層に用いる新しいエミツタ構造の研究

Paper図書

佐々木, 公洋, 金沢大学1995-1996<Y151-H07650394>

National Diet Library

Subject Headingヘテロ接合バイポーラトランジスタ非晶質SiC エピタキシヤル成長 SiGe S...

化合物半導体中へのナノ金属細線埋込み構造による極小/高速電子デバイスの研究

Paper図書

宮本恭幸, 東京工業大学 [著][宮本恭幸]2002-2003<Y151-H14350182>

National Diet Library

Subject Headingナノ金属細線 / ヘテロ接合バイポーラトランジスタ / InP / ホットエレクトロントランジスタ...

共役ポリマー:ポリジアセレンにおける光誘起相転移のダイナミクス

Paper図書

腰原, 伸也, 東京工業大学1994-1995<Y151-H06452045>

National Diet Library

Subject Heading単結晶反射・ラマンスペクトル光誘起相転移ドメイン壁ポリジアセチレン揺らぎバイポーラロン

SiCパワー半導体バイポーラ劣化抑制方法の研究

Digital博士論文障害者向け資料あり

鳥見, 聡2020-03-25

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Toc / Article...||第3章 SiCパワー半導体バイポーラ劣化予測モデルの設計||第4章......ド通電ストレス試験||第5章バイポーラ劣化予測モデルによるPiNダイオードの臨界電流密度の計算||...
Summary, etc.本研究では、SiCパワー半導体の信頼性低下をもたらすバイポーラ劣化現象の新たなモデルを提案し、デバイス構造パラメータとバイポーラ劣化の関係を理論的に明らかにし......表面処理を提案し、本処理によりバイポーラ劣化が抑制されることを実験的に......向を概説し、本研究の背景としてバイポーラ動作するSiCパワー半導体において信頼性低下をもたらすバイポーラ劣化現象に関して言及した。バイポーラ劣化の抑制手法ならびにそのメカ......の理解において、SiC基板内でバイポーラ劣化の起点となる基底面転位を積......慮したデバイス構造パラメータとバイポーラ劣化の関係に関しても十分に明ら......に明らかにすることを目的とし、バイポーラ劣化の本質的解決における本研究......、SiCパワー半導体にもたらすバイポーラ劣化抑制効果を実験的および理論......半導体中の基底面転位に起因するバイポーラ劣化現象の理論的な理解のために......拡張する臨界ホール濃度を用いてバイポーラ劣化が発生する電流密度（臨界電......8 Kまでの高温条件下におけるバイポーラ劣化の予測を可能とした。第4章......とき、基板中の基底面転位によるバイポーラ劣化において拡張起源の基底面転......も基板中の基底面転位に起因するバイポーラ劣化が発生しにくいことを実験的......した。また、両者のウェハ間でのバイポーラ劣化が発生したPiNダイオードの数の比率は、Si蒸気圧エッチ...
Subject HeadingSic バイポーラ劣化基底面転位 Si蒸気圧エッチング PiNダイオード