木下, 恭一, 緒方, 康行, 越川, 尚清, 足立, 聡, 岩井, 正行, 鶴, 哲也, 村松, 祐治, 杉木, 喜洋, 前川, 透, 依田, 真一, Kinoshita, Kyoichi, Ogata, Yasuyuki, Koshikawa, Naokiyo, Adachi, Satoshi, Iwai, Masayuki, Tsuru, Tetsuya, Muramatsu, Yuji, Sugiki, Yoshihiro, Maekawa, Toru, Yoda, Shinichi宇宙開発事業団2003-08-29宇宙開発事業団技術報告: 化合物半導体研究アニュアルレポート2002:混晶半導体(InGaAs)の結晶育成に及ぼす微小重力の効果に関する研究.均一組成結晶の育成 = NASDA Technical Memorandum: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2002): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs). Growth of Homogeneous Crystalsp.19-26
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- Subject Heading結晶成長 TLZ法 In(x)Ga(1-x)As 過冷却 凍結 温度勾配 対流...
前川, 透, 福田, 尚宏, 松本, 聡, 足立, 聡, 依田, 真一, 木下, 恭一, Maekawa, Toru, Fukuda, Takahiro, Matsumoto, Satoshi, Adachi, Satoshi, Yoda, Shinichi, Kinoshita, Kyoichi宇宙開発事業団2003-08-29宇宙開発事業団技術報告: 化合物半導体研究アニュアルレポート2002:混晶半導体(InGaAs)の結晶育成に及ぼす微小重力の効果に関する研究.均一組成結晶の育成 = NASDA Technical Memorandum: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2002): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs). Growth of Homogeneous Crystalsp.27-37
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- Subject Heading...GaAs 地球重力 数値解析 TLZ法 過冷却 crystal growth binary sem...
住友電気工業, Sumitomo Electric Industries Ltd.宇宙航空研究開発機構2004-03-25宇宙航空研究開発機構契約報告 = JAXA Contract ReportJAXA-CR-03-002E
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- Subject Heading結晶成長 InGaAs 単結晶 TLZ法 ラマン散乱 温度勾配 指向性凝固 急冷 crystal g...
- Note (General)...00mmである。これらの試料をTLZ法による成長実験に使用した。2)TLZ法による結晶成長実験条件の検討は......を実施した。その結果に基づいてTLZ法による成長実験を実施した。単結晶化は実現していないが得られた...
鶴, 哲也, 岩井, 正行, 村松, 祐治, 木下, 恭一, 緒方, 康行, 足立, 聡, 越川, 尚清, 依田, 真一, Tsuru, Tetsuya, Iwai, Masayuki, Muramatsu, Yuji, Kinoshita, Kyoichi, Ogata, Yasuyuki, Adachi, Satoshi, Koshikawa, Naokiyo, Yoda, Shinichi宇宙開発事業団2003-08-29宇宙開発事業団技術報告: 化合物半導体研究アニュアルレポート2002:混晶半導体(InGaAs)の結晶育成に及ぼす微小重力の効果に関する研究.均一組成結晶の育成 = NASDA Technical Memorandum: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2002): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs). Growth of Homogeneous Crystalsp.11-18
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- Subject HeadingTLZ法 結晶成長 In(x)Ga(1-x)As 温度勾配 濃度 均...
- Alternative Title飽和溶融帯移動法(TLZ法)による均質なIn(x)Ga(1-x)As結晶成長の証明
- Alternative Title飽和溶融帯移動法(TLZ法)による均質なIn(x)Ga(1-x)As結晶成長の証明
宇宙開発事業団, National Space Development Agency of Japan宇宙開発事業団2003-08-29宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandum
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- Subject HeadingTLZ法 結晶成長 In(x)Ga(1-x)As 温度勾配 濃度 過...